Новое поколение запоминающего устройства RAM

Сегодня ведущие европейские инженера, которые входят в единую команду, работают над созданием новых чипов RAM-памяти. По предварительным прогнозам в самом ближайшем будущем при производстве чипов ведущие компании откажутся от медных соединений и перейдут на новую технологию оптических каналов связи. В результате этого пропускная способность такого чипа сможет достигнуть 100 Гбит в секунду, что на сегодняшний день сможет стать рекордной скоростью.  

В международном проекте, который носит название RAMPLUS, участвуют 6 ведущих европейских университетов, которые работают в рамках общеевропейской программы   Seventh Framework Programme (FP7). На сегодняшний день финансирование проекта составило свыше одного миллиона евро, однако новые разработки обещают быть очень успешными.

Ведущие специалисты работают над объединением двух технологий - SOI (Silicon on Insulator) и «фотонной интеграции». Новый модуль позволит пересмотреть сам принцип в работе оперативной памяти, в результате чего она сможет стать намного более производительной и отлично справляться с задачами для будущих компьютеров с многоядерными микропроцессорами.  

Благодаря использованию фотонных эффектов, модули памяти не будут сталкиваться с электрическим сопротивлением, которое на сегодняшний момент является главным сдерживающим фактором в развитии оперативной памяти.

 

 

 

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Top